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0.13N.A. 4µm Rot-Faser verband Dioden-Laser 635nm 20mW für das Zielen des Strahls

0.13N.A. 4µm Rot-Faser verband Dioden-Laser 635nm 20mW für das Zielen des Strahls

MOQ: 1 Piece / Pieces
Lieferfrist: 4-8 Wochen
Zahlungs-Methode: T/T
Lieferkapazität: 100,000/Year
Ausführliche Information
Herkunftsort
China
Markenname
BWT
Zertifizierung
ISO9001
Modellnummer
K635F03RN-0.020W
Min Bestellmenge:
1 Piece / Pieces
Lieferzeit:
4-8 Wochen
Zahlungsbedingungen:
T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
100,000/Year
High Light:

High-Power Laserdiode

,

Hochleistungs-Laserdioden-Modul

Beschreibung des Produkts

Eigenschaften:

Wellenlänge 635nm

Spitzenleistung 20mW

4µm Faser-Kerndurchmesser

0.13N.A.

Schutz des Feedbacks 1040nm-1200nm

 

Anwendungen:

Zielen des Strahls für Faserlaser

Druckanwendung

Medizinische Verwendung

Wissenschaftliche Forschung

 

Spezifikationen (25℃)

 

Symbol

Einheit

 

K635F03RN-0.020W
Minimum Typisch Maximum
Optische Daten CW-Ertrag-Energie PO mW 20 - -
Mittelwellenlänge - Nanometer 635±10
Spektralbreite (FWHM) - Nanometer - 3 -
Wellenlängen-Temperatur-Verschiebung - nm/℃ - 0,2 -
Elektrische Daten Elektrisch-zu-optische Leistungsfähigkeit PET % 4 - -
Schwellenstrom lth MA - 45 -
Betriebsstrom stutzen Sie MA - - 165
Betriebsspannung Vop V - - 3
Steigungs-Leistungsfähigkeit η W/A - 0,37 -

Faser-Daten

 

Kerndurchmesser Dcore μm - 4 -
Manteldurchmesser Dclad μm - 125 -
Pufferdurchmesser Dbuf μm - 245 -
Numerische Öffnung Na Na - 0,13 -
Faserlänge LF m - 1 -
Faser-loser Schlauchdurchmesser - μm 0.9mm PVC
Minimaler Biegungsradius - Millimeter 50 - -
Faserbeendigung - - FC (APC) /SC (APC) /SMA905/ST
Feedback-Isolierung Wellenlänge der hinteren Reflexion - Nanometer 1040-1200
Isolierung der hinteren Reflexion - DB - 30 -
Andere ESD Vesd V - - 500
Lagertemperatur Test -20 - 70
Führung lötender Temp Tls - - 260
Führungs-lötende Zeit t sek - - 10
Funktionierende Gehäusetemperatur Spitze 15 - 35
Relative Luftfeuchtigkeit Relative Feuchtigkeit % 15 - 75
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EINZELHEITEN ZU DEN PRODUKTEN
0.13N.A. 4µm Rot-Faser verband Dioden-Laser 635nm 20mW für das Zielen des Strahls
MOQ: 1 Piece / Pieces
Lieferfrist: 4-8 Wochen
Zahlungs-Methode: T/T
Lieferkapazität: 100,000/Year
Ausführliche Information
Herkunftsort
China
Markenname
BWT
Zertifizierung
ISO9001
Modellnummer
K635F03RN-0.020W
Min Bestellmenge:
1 Piece / Pieces
Lieferzeit:
4-8 Wochen
Zahlungsbedingungen:
T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
100,000/Year
High Light

High-Power Laserdiode

,

Hochleistungs-Laserdioden-Modul

Beschreibung des Produkts

Eigenschaften:

Wellenlänge 635nm

Spitzenleistung 20mW

4µm Faser-Kerndurchmesser

0.13N.A.

Schutz des Feedbacks 1040nm-1200nm

 

Anwendungen:

Zielen des Strahls für Faserlaser

Druckanwendung

Medizinische Verwendung

Wissenschaftliche Forschung

 

Spezifikationen (25℃)

 

Symbol

Einheit

 

K635F03RN-0.020W
Minimum Typisch Maximum
Optische Daten CW-Ertrag-Energie PO mW 20 - -
Mittelwellenlänge - Nanometer 635±10
Spektralbreite (FWHM) - Nanometer - 3 -
Wellenlängen-Temperatur-Verschiebung - nm/℃ - 0,2 -
Elektrische Daten Elektrisch-zu-optische Leistungsfähigkeit PET % 4 - -
Schwellenstrom lth MA - 45 -
Betriebsstrom stutzen Sie MA - - 165
Betriebsspannung Vop V - - 3
Steigungs-Leistungsfähigkeit η W/A - 0,37 -

Faser-Daten

 

Kerndurchmesser Dcore μm - 4 -
Manteldurchmesser Dclad μm - 125 -
Pufferdurchmesser Dbuf μm - 245 -
Numerische Öffnung Na Na - 0,13 -
Faserlänge LF m - 1 -
Faser-loser Schlauchdurchmesser - μm 0.9mm PVC
Minimaler Biegungsradius - Millimeter 50 - -
Faserbeendigung - - FC (APC) /SC (APC) /SMA905/ST
Feedback-Isolierung Wellenlänge der hinteren Reflexion - Nanometer 1040-1200
Isolierung der hinteren Reflexion - DB - 30 -
Andere ESD Vesd V - - 500
Lagertemperatur Test -20 - 70
Führung lötender Temp Tls - - 260
Führungs-lötende Zeit t sek - - 10
Funktionierende Gehäusetemperatur Spitze 15 - 35
Relative Luftfeuchtigkeit Relative Feuchtigkeit % 15 - 75
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