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Dioden-Laser 1064nm der hohen Leistung 20 Watt-Halbleiter-Laser

Dioden-Laser 1064nm der hohen Leistung 20 Watt-Halbleiter-Laser

High Power Diode Lasers 1064nm 20 Watt Semiconductor Laser

Produktdetails:

Herkunftsort: Beijing China (Festland)
Markenname: BWT
Zertifizierung: ISO9001
Modellnummer: KA64HAMCA-20.00W

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1 Piece / Pieces
Lieferzeit: 4-8 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 200,000/year
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Ausführliche Produkt-Beschreibung

Eigenschaften:

  • Spitzenleistung 20W 
  • Wellenlänge 1064nm 
  • Standardfaserkoppelung für 200μm/0.22NA 

 

Anwendungen:

  • Zahnmedizinisch 
  • Dermatologie 
  • Therapeutisch

 

Spezifikationen (25℃)

 

Symbol

 

Einheit

 

KA64HAMCA-20.00W
Minimum Typisch Maximum
Optische Daten CW-Ertrag-Energie PO W 20 - -
Mittelwellenlänge λc Nanometer 1064±20
Spektralbreite (FWHM) △λ Nanometer

6

 

Wellenlängen-Verschiebung mit Temperatur △λ/△T nm/℃ - 0,3 -
Wellenlängen-Verschiebung mit Strom △λ/△A nm/A - 1 -
Elektrische Daten Elektrisch-zu-optische Leistungsfähigkeit PET % 30 - -
Schwellenstrom lth A - 0,7 -
Betriebsstrom stutzen Sie A - - 9
Betriebsspannung Vop V - - 7
Steigungs-Leistungsfähigkeit η W/A - 2,8 -

Faser-Daten

 

Kerndurchmesser Dcore μm - 200 -
Numerische Öffnung Na Na - 0,22 -
Faserbeendigung - - - SMA905 -
PD-Daten Gegenwärtig IMO µA 300 - 3000
Thermistor - Funktelegrafie (K-Ω)/β (25℃) - 10±3%/3477 -
Zielen von Strahln-Daten Spitzenleistung PA mW - 2 -
Wellenlänge La Nanometer 635±10
Spannung  VA V - 2,2 -
Gegenwärtig Ia MA - 45 65
Andere ESD Vesd V - - 500
Lagertemperatur Test -20 - 70
Führung lötender Temp Tls - - 260
Führungs-lötende Zeit t sek - - 10
Funktionierende Gehäusetemperatur Spitze 15 - 35
Relative Luftfeuchtigkeit Relative Feuchtigkeit % 15 - 75

 

Kontaktdaten
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